应用材料推出两款 2nm 及以下尖端沉积系统

半导体设备巨头应用材料（Applied Materials） 重磅发力，美国当地时间 4 月 8 日正式推出两款适用于 “埃级” 工艺的沉积设备系统，目前这两款设备已被领先逻辑芯片制造商导入2nm 及以下尖端制程，为先进芯片研发量产筑牢核心设备支撑。

应用材料表示，GAA 全环绕栅极结构已成为 2nm 及以下尖端工艺的必然选择，相比传统 FinFET 结构，可带来显著的能效提升，但同时其制造难度大幅增加 —— 需要超过500 道工序才能完成，且其中诸多工序需依赖全新的材料沉积方法，对设备精度提出极高要求。

此次推出的两款新设备，精准破解 GAA 结构制造难题，各有侧重、协同发力：一款是Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD等离子体增强化学气相沉积系统，专门针对分隔相邻晶体管的浅沟槽隔离结构设计。它采用创新的自下而上选择性沉积工艺，仅在沟槽必要位置向氧化硅绝缘介质上沉积致密的氮化硅层，有效保护绝缘介质免受后续工序损伤，同时降低寄生电容与漏电，提升芯片每瓦性能。

另一款是Endura Trillium ALD原子层沉积设备，专为 GAA 结构优化打造，可构建具有原子级均匀性的复杂金属栅极结构。该设备能实现沉积厚度的精密控制，允许晶圆厂灵活调节不同晶体管的阈值电压，精准匹配客户多样化的参数需求，助力打造高性能 GAA 晶体管，为下一代 AI 处理器研发提供核心支撑。

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